制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: PLUS-264-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Id-连续漏极电流: 100 A
Rds On-漏源导通电阻: 49 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 5 V
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 240 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
配置: Single
Pd-功率耗散: 1.25 kW
通道模式: Enhancement
商标名: PolarHV, HiPerFET
封装: Tube
高度: 26.59 mm
长度: 20.29 mm
系列: IXFB100N50
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: PolarHV HiPerFET Power MOSFET
宽度: 5.31 mm
商标: IXYS
正向跨导 - 最小值: 50 S
下降时间: 26 ns
NumOfPackaging: 1
上升时间: 29 ns
工厂包装数量: 25
典型关闭延迟时间: 110 ns
典型接通延迟时间: 36 ns
单位重量: 1.600 g
