深圳市骏创达科技有限公司
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地址：深圳市福田区上步工业区501栋4楼412室
产品种类： MOSFET
晶体管极性： N-Channel
汲极/源极击穿电压： 25 V
闸/源击穿电压： 10 V
漏极连续电流： 5 A
导通电阻： 23 mOhms
最大工作温度： + 150 C
安装风格： SMD/SMT
封装 / 箱体： SON-6
封装： Reel
商标： Texas Instruments
下降时间： 1.7 ns
正向跨导 - 最小值： 16.5 S
栅极电荷 Qg： 2 nC
最小工作温度： - 55 C
功率耗散： 2.3 W
上升时间： 4.4 ns
系列： CSD16301Q2
工厂包装数量： 3000
商标名： NexFET
典型关闭延迟时间： 4.1 ns
本公司长期供应以下型号，大量现货，欢迎广大客户，来电咨询！！！
CSACS25.00MX040-TC
CSACV20M0X53J-RO
CSACV40.00MX040-TC20
CSACW3300MX01-T
CSC1004D
CSD16340Q3
CSD16409Q3
CSD17308Q3
CSD17507Q5A
CSD58871W10
CSD68803W15
CSD86330Q3D
CSD87350Q5D
CSD87352Q5D
CSD97374Q4M
CSM0315D100MP00
