650 V、SuperFET® III MOSFET
ON Semiconductor 推出其 650 V、SuperFET® III MOSFET，相同封装尺寸具有更高的功率密度和超过 40% 的 Rds(on) 降低
Fairchild Semiconductor 的 650 V、SuperFET® III MOSFETON Semiconductor 的 650 V、SuperFET III 系列是为实现高功率密度而专门设计的高性能超级结 MOSFET。 相比上一代行业领先技术，SuperFET III 技术在相同的封装尺寸下使得 Rds(on) 降低了 40% 以上，能够让产品设计人员减小封装尺寸或增加相同封装的功率。
特性 应用
能够实现更高系统能效的同类最佳 FOM 和 Eoss
先进的充电平衡技术
具有更低栅极振荡和 EMI 的高均衡型开关特性
同类最佳坚固型体二极管
所有易驱动型 MOSFET 中 Rsp 最低
服务器
电信系统
EV 充电器
工业系统
