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制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SO-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 7 A
Rds On-漏源导通电阻: 22 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
配置: Single Quad Drain Triple Source
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: Reel
高度: 1.75 mm
长度: 4.9 mm
系列: BSO220N03
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 3.9 mm
商标: Infineon Technologies
下降时间: 3.4 ns
湿度敏感性: Yes
Pd-功率耗散: 1.56 W
上升时间: 2.8 ns
工厂包装数量: 2500
典型关闭延迟时间: 6.2 ns
典型接通延迟时间: 5.7 ns
零件号别名: BSO220N03MSGXUMA1
单位重量: 540 mg
