产品种类: 射频(RF)双极晶体管
制造商: Infineon
晶体管类型: Bipolar
技术: Si
晶体管极性: NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min: 70
集电极—发射极最大电压 VCEO: 15 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 3 V
集电极连续电流: 100 mA
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 150 C
配置: Single
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
商标: Infineon Technologies
集电极—基极电压 VCBO: 20 V
直流电流增益 hFE 最大值: 70 at 70 mA at 8 V
增益带宽产品fT: 5 GHz
高度: 1 mm
长度: 2.9 mm
最大直流电集电极电流: 0.21 A
工作频率: 5000 MHz
Pd-功率耗散: 700 mW
资格: AEC-Q100
类型: RF Bipolar Small Signal
宽度: 1.3 mm
单位重量: 1.438 g
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