型号：STF7NM80
品牌：ST
封装：TO-220
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 800V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 18nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 620pF @ 25V
Vgs（最大值） ±30V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 25W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 1.05 欧姆 @ 3.25A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220FP
封装/外壳 TO-220-3 整包
深圳市中意法电子科技有限公司
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