MT47H64M16HW-3IT

MT47H64M16HW-3IT特点•••••••••••••••••VDD= +1.8V ±0.1V, VDDQ= +1.8V ±0.1VJEDEC标准的1.8V的I / O（ SSTL_18兼容）差分数据选通（ DQS ， DQS ＃ ）选项4N位预取架构对于X8重复输出选通（ RDQS ）选项DLL对齐DQ和DQS转换与CK8个内部银行的并发操作可编程CAS延迟（ CL ）Posted CAS附加延迟（ AL ）写延时=读延时 - 1tCK可选的突发长度（ BL ） ： 4或8可调节的数据输出驱动强度64毫秒， 8192周期刷新片上端接（ ODT ）工业温度（ IT）选项符合RoHS标准支持JEDEC的时钟抖动指标选项1•CON组fi guration–256梅格×4 （ 32兆×4× 8银行）–梅格128 ×8（ 16梅格×8× 8银行）–梅格64 ×16 （ 8梅格×16× 8银行）•FBGA封装（无铅） - X16–84球FBGA （采用8mm x 12.5毫米）修订版G，H•FBGA封装（无铅） - X4，X8–60球FBGA （采用8mm x 11.5毫米）启摹•FBGA封装（无铅） - X4，X8–60球FBGA （采用8mm x 10毫米）牧师ħ•FBGA封装（无铅焊料） - X16–84球FBGA （采用8mm x 12.5毫米）修订版G，H•FBGA封装（无铅焊料） - X4，X8–60球FBGA （采用8mm x 11.5毫米）启摹•FBGA封装（无铅焊料） - X4，X8–60球FBGA （采用8mm x 10毫米）牧师ħ•时间 - 周期时间–1.875ns @ CL = 7 （ DDR2-1066 ）–为2.5ns @ CL = 5 （ DDR2-800 ）–为2.5ns @ CL = 6 （ DDR2-800 ）–3.0ns @ CL = 4 （ DDR2-667 ）–3.0ns @ CL = 5 （ DDR2-667 ）–3.75ns @ CL = 4 （ DDR2-533 ）•自刷新–标准–低功耗•工作温度–商用（0°C≤TC≤85°C)–工业（ -40°C≤TC≤95°C;–40°C≤TA≤85°C)–汽车（ -40°C≤TC, TA≤105ºC)•调整