IRF7301 RoHS：ROHS 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
封装：管件 0755-82713782 ; 13590238352黄小姐
说明：MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC
标准包装：95
类别：分立式导体产品
家庭：FET - 阵列
系列：HEXFET?
包装：管件
FET 类型：2 个 N 沟道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：5.2A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：50 毫欧 @ 2.6A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：700mV @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：20nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：660pF @ 15V
功率 - 最大值：2W
安装类型：表面贴装
