全新 1200V 碳化硅 MOSFET FF11MR12W1M1; FF23MR12W1M1；IMW120R045M1；IMZ120R045M1MOSFET 已经推出，同时具备高可靠性与性能优势。其动态功率损耗要比 1200V 硅（Si）IGBT 低一个数量级。首批产品将主推光伏逆变器、不间断电源（UPS）和充电/储电系统等应用市场。 1200V SiC MOSEFT 采用的沟槽栅技术的一大优势在于持久的坚固耐用性。这是由于其具备较低的失效率（FIT）和可承受短路的能力，可适应不同的应用和环境的挑战。得益于 4V 的阈值电压（Vth）和 +15V 的推荐栅极驱动电压（VGS），这些 SIC MOSFET 可以采用 IGBT 一样的驱动控制，在发生故障时得以安全关断。产品广泛用于工业控制、医疗设备、电源、UPS、家电、仪器仪表、通信网络设备、航空等行业。品种齐全，大批量的现货。
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