S2384 硅APD S2384-02光半导体探测器雪崩二极管（APD）

2025-8-12 16:10:00

类型近红外型（低偏置）感光面积 φ3 mm 封装金属封装类型 TO-5 峰值波长（典型值） 800 nm 光谱响应范围（最小值） 400 to 1000 nm 灵敏度（典型值） 0.5 A/W 暗电流（最大值） 10 nA 截止频率（典型值） 120 MHz 结电容（典型值） 40 pF 击穿电压（典型值） 150

类型近红外型（低偏置）

感光面积 φ3 mm

封装金属

封装类型 TO-5

峰值波长（典型值） 800 nm

光谱响应范围（最小值） 400 to 1000 nm

灵敏度（典型值） 0.5 A/W

暗电流（最大值） 10 nA

截止频率（典型值） 120 MHz

结电容（典型值） 40 pF

击穿电压（典型值） 150 V

击穿电压温度系数（典型值） 0.65 V/℃

增益（典型值） 60

测试条件 Ta=25 ℃，除非特别说明，均为典型值，灵敏度: λ=800 nm，M=1