FQD3N60 FAIRCHILD N沟道 MOS管 600V 2.4A TO252 晶体管
制造商： Fairchild Semiconductor 最小包装量： 2500PCS
封装： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 包装： Tape & Reel (TR)
类别： FET - 单路 无铅情况/RoHS： 符合
产品描述： MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK
参数 数值
封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
功率 - 最大值 50W
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 565pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 14nC @ 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） 3.4 Ohm @ 1.2A, 10V
FET 功能 Standard
FET 类型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
漏源极电压 (Vdss) 600V
一般信息
数据列表 FQD3N60CTM_WS;
标准包装 2,500
包装 标准卷带
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 QFET®
其它名称 FQD3N60CTM_WS-ND
FQD3N60CTM_WSTR
规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 14nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 565pF @ 25V
Vgs（最大值） ±30V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 50W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 3.4 欧姆 @ 1.2A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D-Pak
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
联系方式 ：
企业：深圳市轩嘉盛电子有限公司
企业网站：www.xjsic.com
联系人：吴妙惠
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