在深沟槽工艺制造SDT系列实现低得多的正向电压和反向不是在平面工艺制造肖特基二极管的泄漏电流。这两者之间的差可以是由超过20％，在SDT20B100CT，其中优异的性能与成本值被呈现的情况下非常显着。这些肖特基二极管都装在热效率和全绿色PowerDI®5，TO220AB，并ITO220AB包。他们都适合全自动或劳动密集型的制造业环境。
特征如下:
优异的热传导性能
该PowerDI5，TO220AB，并ITO220AB包都是高热效率的，符合RoHS标准，允许这些设备在苛刻的应用可靠地运行，并且非常适合大规模生产设施
低正向电压
开发在沟槽的技术，这些设备提供了比平面型肖特基二极管低得多的正向电压（VF）。下VF导致在相同或更好的奇偶更好的功率效率的设备成本
低反向漏电流
这些设备的漏电流（IR）是低至3.5μA。这种卓越的性能转化为更小的外形为终端系统
高正向浪涌电流
与正向浪涌电流（IFSM）高达280 A和反向击穿电压（V RRM）多达120 V，高度的器件的可靠性和端系统鲁棒性保证
应用如下:
AC / DC充电器和适配器
家用电子
物联网（物联网）设备
移动计算和通信
