IRF7470TR好处lllIRF7470PbFHEXFET®功率MOSFETVDSS40VRDS （ ON）最大13mΩID10A超低栅极阻抗非常低RDS （ ON）在4.5V VGS充分界定雪崩电压和电流
产品种类: MOSFET
制造商: Infineon
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SO-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 10 A
Rds On-漏源导通电阻: 13 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 29 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Reel
商标: Infineon / IR
配置: Single Quad Drain Triple Source
下降时间: 3.2 ns
正向跨导 - 最小值: 27 S
高度: 1.75 mm
长度: 4.9 mm
Pd-功率耗散: 2.5 W
上升时间: 1.9 ns
工厂包装数量: 4000
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 21 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
宽度: 3.9 mm
单位重量: 540 mg
