MT29F2G16ABAEAWP-IT

MT29F2G16ABAEAWP-IT特点•开放式NAND闪存接口（ ONFI ） 1.0兼容•单级单元（ SLC ）技术•组织–页面大小：• x8的： 2112字节（ 2048 + 64字节）• X16 ： 1056字（ 1024 + 32个字）–块大小： 64页（ 128K + 4K字节）–设备大小：2GB ： 2048块•读取性能–随机读取：在25μs–连续读取：为25ns （ 3.3V ）–连续读取：为35ns （ 1.8V ）•写入性能–节目页： 220μs （典型值3.3V ）,–节目页： 300μS （典型值1.8V ）,–块擦除：在500μs （典型值）- 数据保存：10年- 耐力：100,000编程/擦除周期•首块（块地址00H ）保证是有效的带ECC从出厂时1•行业标准的基础NAND闪存命令集•先进的指令集：–节目页缓存模式–页读缓存模式–一次性可编程（ OTP ）的命令–块锁定（仅1.8V ）–可编程驱动强度–读取唯一ID•操作状态字节提供的软件的方法检测：–操作完成–通过/失败状态–写保护状态•就绪/忙＃ （ R / B＃ ）信号提供了硬件检测完成的操作方法• WP ＃信号：写保护整个设备•需要复位为上电后的第一个命令•支持的内部数据移动操作•设备初始化的替代方法（ Nand_Init ）通电后4（联系工厂）图1：63球VFBGA选项•密度2：2GB （单芯片）•设备宽度： X8 ， X16•配置：＃模具排名第CE ##的R / B＃I / O111常见• VCC: 2.7–3.6V• VCC: 1.65–1.95V•包–48引脚TSOP I型CPL3（无铅电镀， 3.3V只）–63球VFBGA （无铅，只有1.8V ）- 工作温度：–商用（0 ° C至+ 70 ° C）–扩展级（-40 ° C至+ 85°C ）1.请参阅第61页上的“错误管理” 。2.对于部分编号和标记，看看图2中第2页和图3第3页。3. CPL =中分线4.仅适用于1.8V VFBGA封装。