类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 STripFET™ II
其它名称 497-7511-5
STP17NF25-ND
规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 250V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 29.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1000pF @ 25V
Vgs（最大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 90W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 165 毫欧 @ 8.5A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3
