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STGB20NB41LZ 442V80A ST/意法 TO263 MOS管

2021-4-22 18:01:00
  • 轩嘉盛电子有限公司 STGB20NB41LZ 442V80A

制造商: STMicroelectronics 最小包装量: 1000PCS

封装: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 包装: Tape & Reel (TR)

类别: IGBT-单路 无铅情况/RoHS: 符合

产品描述: IGBT 442V 40A 200W D2PAK

参数 数值

系列 PowerMESH™

封装/外壳 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

反向恢复时间 (trr) -

测试条件 320V, 20A, 1 kOhm, 5V

闸极电荷 46nC

输入类型 Standard

开关能量 5mJ (on), 12.9mJ (off)

功率 - 最大值 200W

电流 - 集电极脉冲 (Icm) 80A

不同 Vge、Ic 时的 Vce(on) 2V @ 4.5V, 20A

IGBT 类型 -

电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 40A

电压 - 集射极击穿(最大值) 442V

一般信息

数据列表 STGB20NB41LZ;

标准包装 1,000

包装 标准卷带

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单

系列 PowerMESH™

其它名称 497-4351-2

规格

IGBT 类型 -

电压 - 集射极击穿(最大值) 442V

电流 - 集电极(Ic)(最大值) 40A

脉冲电流 - 集电极 (Icm) 80A

不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) 2V @ 4.5V,20A

功率 - 最大值 200W

开关能量 5mJ(开), 12.9mJ(关)

输入类型 标准

25°C 时 Td(开/关)值 1µs/12.1µs

测试条件 320V,20A,1 千欧,5V

工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型 表面贴装

封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

供应商器件封装 D2PAK

联系方式 :

企业:深圳市轩嘉盛电子有限公司

企业网站:www.xjsic.com

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