型号：IRF640NPBF 品牌：IR 封装：TO220 年份：16+
IRF640NPBF 特点
IRF640NPBF是MOSFET，GaNFET - 单 系列分离式半导体产品 ，是一种通孔 式器件，
采用TO-220-3 (直引线) 封装方式，主要包装方式为管件式包装。
类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET，GaNFET - 单
系列:HEXFET®
FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点:标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:150 毫欧 @ 11A, 10V
漏极至源极电压(Vdss):200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A
Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:67nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :1160pF @ 25V
功率 - 最大:150W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3 (直引线)
包装:管件
供应商设备封装:TO-220AB
其它名称:*IRF640NPBF
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