产品种类: MOSFET
制造商: STMicroelectronics
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220FP-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 13 A
Rds On-漏源导通电阻: 550 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.75 V
Qg-栅极电荷: 66 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tube
通道模式: Enhancement
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 12 ns
正向跨导 - 最小值: 11 S
高度: 16.4 mm
长度: 10.4 mm
Pd-功率耗散: 35 W
上升时间: 14 ns
系列: N-channel MDmesh
工厂包装数量: 1000
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 61 ns
典型接通延迟时间: 22 ns
宽度: 4.6 mm
