产品种类: IGBT 晶体管
制造商: Fairchild Semiconductor
RoHS: RoHS 合规性豁免 详细信息
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.8 V
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
在25 C的连续集电极电流: 75 A
栅极—射极漏泄电流: +/- 250 nA
Pd-功率耗散: 463 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
最大工作温度: + 150 C
封装: Tube
商标: Fairchild Semiconductor
集电极连续电流: 75 A
集电极最大连续电流 Ic: 75 A
高度: 20.82 mm
长度: 15.87 mm
最小工作温度: - 55 C
系列: HGTG30N60A4D
工厂包装数量: 30
技术: Si
宽度: 4.82 mm
零件号别名: HGTG30N60A4D_NL
