该器件采用LinCMOS制造技术，由两个独立的电压比较器，每一个设计成操作从一个单一的电源。从双操作用品也是可能的，如果差之间两个电源为2 V至18 V.每个设备拥有极高的输入阻抗（通常大于1012Ω),允许直接高阻抗源接口。该输出N沟道开漏配置并且可以被连接到实现正逻辑线与关系。
该TLC372具有内部静电放电（ESD）保护电路和已被分类使用人体1000 -V ESD额定值模型试验。然而，应谨慎在处理这一设备如同置身于ESD可能导致器件参数的劣化性能。
该TLC372C的特点是操作从0℃至70℃。该TLC372I的特点是操作从-40 ° C至85°C 。该TLC372M的特点是操作在-55 ℃的整个军用温度范围内至125 ℃。该TLC372Q的特点是从操作 - 40 ° C至125°C 。
