制造商：Renesas Electronics America
RoHS： 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
封装：管件
说明：MOSFET N-CH 900V 8A TO-3P
标准包装：1
类别：分立式导体产品
家庭：FET - 单
系列：-
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：900V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：8A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：1.6 欧姆 @ 4A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1730pF @ 10V
功率 - 最大值：60W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装：TO-3P
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