STW9N150
产品种类: MOSFET
制造商: STMicroelectronics
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1500 V
Id-连续漏极电流: 8 A
Rds On-漏源导通电阻: 2.5 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tube
通道模式: Enhancement
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 52 ns
高度: 20.15 mm
长度: 15.75 mm
Pd-功率耗散: 320 W
上升时间: 14.7 ns
系列: N-channel MDmesh
工厂包装数量: 600
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 86 ns
典型接通延迟时间: 41 ns
宽度: 5.15 mm
单位重量: 38 g
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