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FDN352AP

2017-4-1 9:31:00
  • 深圳市鑫欧美电子有限公司,0755-82708963张小姐

产品种类: MOSFET

制造商: Fairchild Semiconductor

RoHS: 符合RoHS 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SSOT-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: P-Channel

Vds-漏源极击穿电压: - 30 V

Id-连续漏极电流: - 1.3 A

Rds On-漏源导通电阻: 180 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 25 V

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

封装: Reel

通道模式: Enhancement

商标: Fairchild Semiconductor

配置: Single

下降时间: 15 ns

正向跨导 - 最小值: 2 S

高度: 1.12 mm

长度: 2.9 mm

Pd-功率耗散: 500 mW

产品: MOSFET Small Signal

上升时间: 15 ns

系列: FDN352AP

工厂包装数量: 3000

晶体管类型: 1 P-Channel

类型: MOSFET

典型关闭延迟时间: 10 ns

典型接通延迟时间: 4 ns

宽度: 1.4 mm

零件号别名: FDN352AP_NL

单位重量: 30 mg