产品种类: MOSFET
制造商: Infineon
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 10 A
Rds On-漏源导通电阻: 20 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 30 nC
最大工作温度: + 150 C
封装: Reel
通道模式: Enhancement
商标: Infineon Technologies
配置: Single Quad Drain Triple Source
下降时间: 44 ns
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
上升时间: 7.7 ns
工厂包装数量: 4000
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: HEXFET Power MOSFET
典型关闭延迟时间: 38 ns
典型接通延迟时间: 11 ns
单位重量: 540 mg
