产品种类: MOSFET
制造商: Infineon
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-5
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 11 A
Rds On-漏源导通电阻: 58 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 12 nC
封装: Tube
通道模式: Enhancement
商标: Infineon Technologies
配置: Half-Bridge
下降时间: 4.3 ns
高度: 9.02 mm
长度: 10.67 mm
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 18 W
上升时间: 8.3 ns
工厂包装数量: 50
晶体管类型: 2 N-Channel
典型关闭延迟时间: 9.5 ns
典型接通延迟时间: 4.7 ns
宽度: 4.83 mm
单位重量: 6 g
