产品种类: MOSFET
制造商: Infineon
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: - 55 V
Id-连续漏极电流: - 70 A
Rds On-漏源导通电阻: 20 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: - 4 V
Qg-栅极电荷: 180 nC
最大工作温度: + 150 C
封装: Reel
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 64 ns
正向跨导 - 最小值: 19 S
Pd-功率耗散: 170 W
上升时间: 99 ns
工厂包装数量: 800
晶体管类型: 1 P-Channel
单位重量: 4 g
