家庭 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
制造商 Diodes Incorporated
系列 -
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 *
FET 类型 N 和 P 沟道
FET 功能 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss） 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.07A，845mA
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 450 毫欧 @ 600mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） 0.74nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss） 60.67pF @ 10V
功率 - 最大值 330mW
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
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