制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: CPH-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: - 60 V
Id-连续漏极电流: - 1.8 A
Rds On-漏源导通电阻: 250 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: 120 nC
最大工作温度: + 150 C
封装: Reel
通道模式: Enhancement
商标: ON Semiconductor
配置: 1 N-Channel
开发套件: -
下降时间: 19 ns
正向跨导 - 最小值: 2.7 S
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 1 W
上升时间: 5.4 ns
工厂包装数量: 3000
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 34 ns
典型接通延迟时间: 5.1 ns
