简介：
厂家：International Rectifier
描述： P CHANNEL MOSFET, -55V, 11A, D-PAK; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-11A; Drain Source Voltage Vds:-55V; On Resistance Rds(on):175mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-4V ;RoHS Compliant: Yes
标准包装：2,000
类别：分离式半导体产品
家庭：FET - 单
系列：HEXFET®
FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
漏极至源极电压(Vdss)：55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：11A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：175 毫欧 @ 6.6A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：19nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds：350pF @ 25V
功率 - 最大：38W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-252
包装：带卷 (TR)
深圳市博雅盈达电子有限公司
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