制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 39 A
Rds On-漏源导通电阻: 36 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 73.3 nC
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
Pd-功率耗散: 140 W
工厂包装数量: 25
晶体管类型: 1 N-Channel
单位重量: 38 g
