制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 250 V
Id-连续漏极电流: 7.4 A
Rds On-漏源导通电阻: 420 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
最大工作温度: + 150 C
封装: Reel
通道模式: Enhancement
商标: Fairchild Semiconductor
配置: Single
下降时间: 45 ns
正向跨导 - 最小值: 6.8 S
高度: 2.3 mm
长度: 6.6 mm
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
上升时间: 105 ns
系列: QFET
工厂包装数量: 2500
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: Enhancement Mode Field Effect Transistor
典型关闭延迟时间: 25 ns
典型接通延迟时间: 13 ns
宽度: 6.1 mm
单位重量: 260.370 mg
