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ULN2064B 晶体管(BJT) - 阵列

2023-10-25 8:40:00
  • 家庭 晶体管(BJT) - 阵列 制造商 STMicroelectronics 系列 - 包装 ? 管件 ? 晶体管类型 4 NPN 达林顿(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 1.75A 电压 - 集射极击穿(最大值) 50V 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 1.4V @ 2mA,1.25A 电流 - 集电极截止(最大值) - 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流

家庭 晶体管(BJT) - 阵列

制造商 STMicroelectronics

系列 -

包装 ? 管件 ?

晶体管类型 4 NPN 达林顿(双)

电流 - 集电极(Ic)(最大值) 1.75A

电压 - 集射极击穿(最大值) 50V

不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 1.4V @ 2mA,1.25A

电流 - 集电极截止(最大值) -

不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) -

功率 - 最大值 1W

频率 - 跃迁 -

安装类型 通孔

封装/外壳 16-PowerDIP(0.300",7.62mm)、

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