描述：
这HEXFET®功率MOSFET利用最新的加工技术，以实现极低导通电阻每硅片面积。另外这种设计的特点是一个175 ℃的结工作温度，快速开关速度和改进型重复雪崩额定值。这些特点相结合，使这个设计非常高效，可靠的装置用于在一个宽的使用各种应用程序。
特点：
先进的工艺技术
超低导通电阻
175 ° C工作温度
快速开关
重复性雪崩中允许多达TJMAX
多种封装选择
LEAD -FREE
公司:深圳市哲瀚电子科技有限公司
联系人:陈小姐
手机:13714441972
电话:0755-82549527/83259945/13714441972
传真:0755-83259945
地址:深圳市福田区深圳市福田区华强北街道深南中路3006号佳和大厦3C006
