CREE 的 SiC 产品具有众多特点如：小封装大功率，高阻断电压和开关速度，低寄生电容和导通电阻、易于并联，驱动简单等，从而在光伏、开关电源、电机驱动等领域广受欢迎。且与Si 产品相比，SiC 半导体具有三个方面的突出优势：更广泛的频带间隙、更良好的导热系数以及更高的可靠性。特别是针对 600 v 以上的应用，SiC MOSFET能在确保小尺寸、高频率操作的条件下，进一步压缩终端用户的能耗和安装运输成本。在应用正常工作的情况下，与其他现有技术、材料相比，SiC MOSFET 更像是电阻，可有效降低导通损耗和发热量，从而有效帮助促进更小、更轻、更低成本方案的诞生。
其中一款 1200 V 高额定电压的 C2M0040120D 就继承了上述 CREE SiC MOSFET 的产品优势：基于C2M MOSFET 技术和 N 沟道增强模式，该产品不但可以提高终端产品的系统效率、开关频率以及功率密度，实现超低关断开关损耗；还具有强大的抗外界干扰和抗冲击电流能力，能够改善EMI，有效降低系统整体成本与尺寸，提供高可靠性。因而非常适用于太阳能逆变器、开关式电源、高压 DC/DC 转换器、充电器、电动机、脉冲电源等应用。而且其在现有高频感应加热系统中，还能够达到99%的超高效率。
另外，C2M0040120D 不仅能够简化系统设计难度，缩短研发周期，还能将整体系统成本降低 20% ！依靠 CREE 公司独特的优势，该 SiC MOSFET 增加磁学频率而缩小了尺寸和重量，降低损耗的同时也减免了系统冷却需求，连安培数评级也不到 Si IGBTs 的一半。C2M0040120D 的架构简单，所需电感也比较小，还可实现刚性开。在高电压条件下能够减少漏电流，合并脚亦使其具有极高冲击电流的能力；而且在更高温度下，还能实现更低的关断开关损耗。总之，凭借上述多项优点 C2M0040120D从整体上更进一步降低了系统成本。
C2M0040120D 的特点与优势：
• 全新C2M SiC MOSFET技术
• 低导通电阻下的高阻断电压
• 具有高阻断电压与低导通电阻RDS(on)40 mΩ
• 便于并联，易于驱动
• 雪崩耐受性强
• 抗闩锁效应
• 额定电压VDS为1200 V，额定电流ID 为60 A
• 工作结温和储存温为：- 55 至 + 150 ˚C
• 封装：TO-247-3
• 无卤素，符合RoHS规范
C2M0040120D 的应用：
• 太阳能逆变器
• 开关式电源
• 高压 DC/DC 转换器
• 充电器
• 电动机
• 脉冲电源应用
作为 SiC 市场的领头羊，CREE 依托行业领先的 SiC 材料技术和优异的功率器件，通过不断投资和扩大产能来实现 SiC 技术的变革，为工业应用提供更高效、可靠的功率解决方案。其具有比竞争对手更系统和全面的产品线，能为客户提供最为精准的 SiC SPICE 模型，丰富的设计参考和应用笔记文档，从而帮助工程师轻松地进行效益评估和减少开发时间，并加速产品上市的时间。
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