概述：
该W25Q16BV （ 16M位）串行Flash存储器提供了有限的系统存储解决方案空间，引脚和电源。该25Q系列提供了灵活性和性能远远超出普通的串行闪存设备。他们是理想的阴影到RAM中的代码，直接从双/四路SPI执行代码（ XIP ）和存储的语音，文本和数据。该器件在2.7V至3.6V单电源工作电流消耗低至4毫安主动和1μA的关断模式。所有器件均提供节省空间节能套餐。
该W25Q16BV阵列是由每256个字节的可编程8,192页。多达256个字节可以在一个时间被编程。网页可以在16 （扇区擦除）组， 128组（ 32KB被删除块擦除） ， 256 （ 64KB块擦除组）或整个芯片（芯片擦除） 。该W25Q16BV有512可擦除扇区和32个可擦除块分别。小4KB扇区允许在更大的灵活性应用程序需要的数据和参数存储。
该W25Q16BV支持标准的串行外设接口（SPI） ，和高的性能双核/四输出以及双/四通道I / O SPI ：串行时钟，片选，串行数据I / O0 （ DI ） ， I / O1（ DO）的I / O 2 （ / WP）和I / O3 （ / HOLD） 。高达104MHz的SPI时钟频率被支持，允许208MHZ的等效时钟频率使用时快速双输出和频率为416MHz的四路输出读双核/四输出指令。这些传输速率可以超越标准的异步8 16位并行Flash存储器。连续读取模式允许与高效的内存访问少8个时钟的指令开销读取一个24位地址，允许真正的XIP （代替执行）操作。
一抱脚，写保护引脚和可编程写保护，与顶部或底部阵列控制，提供进一步的控制灵活性。此外，该设备支持JEDEC标准的制造商和设备标识与64位唯一序列号。
特点：
•家庭SpiFlash的产品的记忆
- W25Q16BV ： 16M位/ 2M字节（ 2,097,152 ）
- 每个可编程页256个字节
•标准，双核或四SPI
- 标准的SPI ： CLK ， / CS ， DI ， DO ， / WP ， /保持
- 双SPI ： CLK ， / CS ， IO0 ， IO1 ， / WP ， /保持
- 四通道SPI ： CLK ， / CS ， IO0 ， IO1 ， IO2 ， IO3
•最高性能的串行闪存
- 截至普通串行闪存的8倍
- 104MHz的时钟操作
- 208MHZ相当于双SPI
- 416MHz的相当于四SPI
- 50MB / S的连续数据传输率
•高效“的连续读取模式”
- 低开销指令
- 仅仅在8个时钟周期来处理内存
- 允许真正的XIP （执行到位）操作
- 性能优于X16并行闪存
•低功耗，宽温度范围
- 单2.7至3.6V电源供电
- 4毫安有功电流， <1μA掉电（典型值）。
- -40 ° C至+ 85 ° C的工作范围
•灵活的架构与4KB扇区
- 统一扇区擦除（ 4K字节）
- 块擦除（ 32K和64K字节）
- 计划一个256个字节
- 超过100,000次擦/写
- 超过20年的数据保留
•高级安全特性
- 软件和硬件写保护
- 顶部或底部，部门或块选择
- 向下锁定和保护OTP(1)
- 64位唯一ID为每个设备
•节省空间的封装
- 8引脚SOIC 150(2)/208-mil
- 8 - 垫WSON引脚6x5毫米
- 采用8引脚PDIP 300万(2)
- 16引脚SOIC 300mil的(2)
- 联系华邦KGD和其他选项
