制造商: Texas Instruments
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
Id-连续漏极电流: 53 A
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Rds On-漏源导通电阻: 16.6 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : +/- 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.6 V
Qg-栅极电荷: 16 nC
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 83 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: VSON-8
封装: Reel
商标: Texas Instruments
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 3 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 3 ns
系列: CSD19537Q3
技术: Si
典型关闭延迟时间: 10 ns
典型接通延迟时间: 5 ns
联系电话：13922852902 江先生 QQ:3183177598
