MOSFET通用MOSFET2N70022N7002
60 V，300 mA N沟道Trench MOSFET
60 V，300 mA N沟道Trench MOSFET
N沟道增强型场效应晶体管(FET)，采用使用Trench MOSFET技术的塑料封装。
特性和优势
适用于逻辑电平栅极驱动源
极快速开关
表面贴装封装
Trench MOSFET技术
应用
逻辑电平转换器
高速线路驱动器
二极管开关二极管BAS316 BAS316
高速开关二极管
高速开关二极管，采用小型表面贴装设备（SMD）塑料封装。
特性和优势
高开关速度：trr ≤ 4 ns
低电容
低漏电流
反向电压：VR ≤ 100 V
重复峰值反向电压：VRRM ≤ 100 V
小型SMD塑料封装
应用
高速开关
通用开关
二极管肖特基二极管(< 200 mA）BAT54CBAT54C
肖特基势垒二极管
平面肖特基势垒二极管，带集成应力保护环，采用小型SOT23 (TO-236AB)表面贴装器件（SMD）塑料封装。
特性和优势
低正向电压
低电容
符合AEC-Q101标准
应用
超高速开关
线路终端
电压箝位
反向极性保护
汽车电子分立器件肖特基二极管BAT54SBAT54S
肖特基势垒二极管
平面肖特基势垒二极管，带集成应力保护环，采用小型SOT23 (TO-236AB)表面贴装器件（SMD）塑料封装。
特性和优势
低正向电压
低电容
符合AEC-Q101标准
应用
超高速开关
线路终端
电压箝位
反向极性保护
汽车电子分立器件开关二极管BAV23BAV23
两个高压开关二极管
两个高压开关二极管，配以小型表面贴装设备（SMD）塑料封装。
特性和优势
高开关速度：trr ≤ 50 ns
低漏电流
重复峰值反向电压：VRRM ≤ 250 V
低电容：Cd ≤ 2 pF
小型SMD塑料封装
应用
高压高速开关
高压通用开关
二极管开关二极管BAV70BAV70
高速开关二极管
高速开关二极管，采用小型表面贴装设备（SMD）塑料封装。
特性和优势
高开关速度：trr ≤ 4 ns
低电容：Cd ≤ 1.5 pF
低漏电流
反向电压：VR ≤ 100 V
小型SMD塑料封装
应用
高速开关
通用开关
汽车电子分立器件开关二极管BAV99BAV99
高速开关二极管
高速开关二极管，采用小型表面贴装设备（SMD）塑料封装。
特性和优势
高开关速度：trr ≤ 4 ns
低电容：Cd ≤ 1.5 pF
低漏电流
反向电压：VR ≤ 100 V
小型SMD塑料封装
符合AEC-Q101标准
应用
高速开关
反向极性保护
通用开关
汽车电子分立器件开关二极管BAV99WBAV99W
高速开关二极管
高速开关二极管，采用小型表面贴装设备（SMD）塑料封装。
特性和优势
高开关速度：trr ≤ 4 ns
低电容：Cd ≤ 1.5 pF
低漏电流
反向电压：VR ≤ 100 V
小型SMD塑料封装
符合AEC-Q101标准
应用
高速开关
反向极性保护
通用开关
二极管开关二极管BAW56BAW56
高速开关二极管
高速开关二极管，采用小型表面贴装设备（SMD）塑料封装。
特性和优势
高开关速度：trr ≤ 4 ns
低电容：Cd ≤ 2 pF
低漏电流
反向电压：VR ≤ 90 V
小型SMD塑料封装
应用
高速开关
通用开关
汽车电子分立器件开关二极管BAV99S
BAV99S
高速开关二极管
高速开关二极管，采用小型表面贴装设备（SMD）塑料封装。
特性和优势
高开关速度：trr ≤ 4 ns
低电容：Cd ≤ 1.5 pF
低漏电流
反向电压：VR ≤ 100 V
小型SMD塑料封装
符合AEC-Q101标准
应用
高速开关
反向极性保护
