制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息商标:STMicroelectronicsId-连续漏极电流:5.5 AVds-漏源极击穿电压:650 VRds On-漏源导通电阻:1.28 Ohms晶体管极性:N-ChannelVgs-栅源极击穿电压 :30 VQg-栅极电荷:34 nC最大工作温度:+ 150 CPd-功率耗散:90 W安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:DPAK-3封装:Reel通道模式:Enhancement配置:Single下降时间:19 ns最小工作温度:- 55 C上升时间:12.5 ns系列:N-channel MDmesh工厂包装数量:2500典型关闭延迟时间:27 ns
Vishay推出带有硅树脂透镜的新系列陶瓷底、高功率UV LED的首批两颗器件---VLMU3500-385-060和VLMU3500-385-120。Vishay Semiconductors VLMU3500-385-060和VLMU3500-385-120使用寿命非常长，采用小尺寸3.5mm x 3.5mm表面贴装封装，具有可靠、节能的优点，可取代汞灯，用于医疗、工业和印刷应用。
VLMU3500-385-060和VLMU3500-385-120使用硅树脂透镜，使用寿命远远超过典型的汞灯。环境友好的UV LED不含重金属，具有良好的耐冲击能力，不会因频繁的开/关切换而劣化，提高了可靠性。汞灯需要复杂的驱动电路和2～15分钟的时间来预热，而VLMU3500-385-060和VLMU3500-385-120只AOD3N40
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需要使用简单的低压电路，且无需预热。
