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晶体管MJD122T4G,PDF下载MJD122T4G,现货MJD122T4G采购找腾迅辉MJD122T4G

2021-7-30 16:57:00
  • MJD122T4G晶体管 规格 晶体管类型 NPN - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 8A 电压 - 集射极击穿(最大值) 100V

数据列表 MJD122,127

标准包装 2,500

包装 标准卷带

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管(BJT) - 单路

系列 -

其它名称 MJD122T4GOS

MJD122T4GOS-ND

MJD122T4GOSTR

规格

晶体管类型 NPN - 达林顿

电流 - 集电极(Ic)(最大值) 8A

电压 - 集射极击穿(最大值) 100V

不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 4V @ 80mA,8A

电流 - 集电极截止(最大值) 10μA

不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 1000 @ 4A,4V

功率 - 最大值 1.75W

频率 - 跃迁 4MHz

安装类型 表面贴装

封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

供应商器件封装 DPAK-3

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