描述:
该MB85RC64是FRAM (铁电随机存取存储器)中的配置独立芯片8,192字×8位,使用用于形成铁电体的过程和硅栅CMOS工艺技术非易失性存储器单元。
该MB85RC64采用两线串行接口。
与SRAM不同,则MB85RC64能够保持数据,而无需使用一个数据备份电池。
用于MB85RC64非易失性存储器单元的读/写耐力改善是在至少10个10周期,显著出来表演闪存和E2PROM中的数目。
该MB85RC64后不写入内存如闪存和E2PROM的情况下需要一个轮询序列。
特点:
•位配置: 8,192字×8位
•工作电源电压: 2.7 V至3.6 V
•工作频率: 400千赫(最大)
•两线串行接口: I2C总线规范版本。 2.1标准,支持标准模式/快速模式。
•工作温度范围:−40°C+85°C
•数据保留: 10年(+75°C)
•读/写耐用性: 10 ,10时
•包:塑料/ SOP , 8引脚( FPT - 8P- M02 )
•低功耗:工作电流0.15毫安(最大: @ 400千赫) ,待机电流5μA(典型值)