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FUJITSU/富士通64Kb的串行3V F-RAM存储器MB85RC64PNF-G-JNER

2022-4-11 12:36:00
  • MB85RC64PNF-G-JNERE1 MB85RC64VPNF-G-JNERE1 MB85RC64PNF-G-JNE1 MB85RC64PNF-G-JNERE 深圳市哲瀚电子科技有限公司0755-83259945/13714441972陈小姐 QQ:3012323310

描述:

该MB85RC64是FRAM (铁电随机存取存储器)中的配置独立芯片8,192字×8位,使用用于形成铁电体的过程和硅栅CMOS工艺技术非易失性存储器单元。

该MB85RC64采用两线串行接口。

与SRAM不同,则MB85RC64能够保持数据,而无需使用一个数据备份电池。

用于MB85RC64非易失性存储器单元的读/写耐力改善是在至少10个10周期,显著出来表演闪存和E2PROM中的数目。

该MB85RC64后不写入内存如闪存和E2PROM的情况下需要一个轮询序列。

特点:

•位配置: 8,192字×8位

•工作电源电压: 2.7 V至3.6 V

•工作频率: 400千赫(最大)

•两线串行接口: I2C总线规范版本。 2.1标准,支持标准模式/快速模式。

•工作温度范围:−40°C+85°C

•数据保留: 10年(+75°C)

•读/写耐用性: 10 ,10时

•包:塑料/ SOP , 8引脚( FPT - 8P- M02 )

•低功耗:工作电流0.15毫安(最大: @ 400千赫) ,待机电流5μA(典型值)