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制造商 Texas Instruments
产品种类 MOSFET
RoHS 符合
Id-连续漏极电流 16 A
Vds-漏源极击穿电压 60 V
Rds On-漏源导通电阻 12.5 mOhms
晶体管极性 N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压 3 V
Qg-栅极电荷 14 nC
最大工作温度 + 150 C
Pd-功率耗散 2.1 W
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 SOIC-8
封装 Reel
商标 Texas Instruments
配置 Dual
下降时间 19 ns
正向跨导 - 最小值 42 S
最小工作温度 - 55 C
上升时间 15 ns
系列 CSD88537ND
工厂包装数量 2500
商标名 NexFET
本公司向广大新老客户承诺，只经营原装产品(百分百原装进口料)所有产品都经正规渠道由国外直接进货，第一手货源，全市优势价格,品质保证保证..价格优。（优质工厂客户采购可申请做账期）。
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