制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
Id-连续漏极电流: 8 A
Vds-漏源极击穿电压: 800 V
Rds On-漏源导通电阻: 1.55 Ohms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 30 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 178 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
封装: Tube
商标: Fairchild Semiconductor
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 70 ns
正向跨导 - 最小值: 5.6 S
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 110 ns
系列: FQP8N80C
工厂包装数量: 50
典型关闭延迟时间: 65 ns
