制造商 恩XP Semiconductors
制造商零件编号 PHT6NQ10T,135
描述 MOSFET N-CH 100V 3A SOT223
无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
一般信息
数据列表 PHT6NQ10T
标准包装 4,000
包装 标准卷带
类别 分立半导体产品
产品族 FET - 单
系列 TrenchMOS??
其它名称 568-6791-2
934055876135
PHT6NQ10T /T3
PHT6NQ10T /T3-ND
PHT6NQ10T,135-ND
PHT6NQ10T135
规格
FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能 标准
漏源极电压（Vdss） 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3A（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 90 毫欧 @ 3A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） 21nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss） 633pF @ 25V
功率 - 最大值 1.8W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装 SC-73
联系电话：:0755-28892389/89605089
13713856319 李小姐/13590212885 孟先生
QQ：1300494240/2639752116/3272088389/2959037137
可开17%税票
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