型号：IRFB4110PBF
厂家：IR
类别：分离式半导体产品
家庭：FET - 单
系列：HEXFET®
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：120A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：4.5 毫欧 @ 75A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：210nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds：9620pF @ 50V
功率 - 最大：370W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3
供应商设备封装：TO-220AB
标准包装：50
包装：管件
数量：11500
单价：面议
备注：深圳市勤思达科技有限公司主营MOSFET场效应管，IGBT晶体管，全新原装，长期供应，现货热卖IRFB4110PBF，欢迎广大客户朋友咨询洽谈。
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