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SI2305CDS-T1-GE3 深圳市凌涵科技有限公司 原装现货,价格优势,欢迎来电!

2016-6-20 9:30:00
  • 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 符合RoHS 详细信息 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOT-23-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: P-Channel Vds-漏源极击穿电压: - 8 V Id-连续漏极电流: 4.4 A Rds On-漏源导通电阻: 28 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 8 V 最大工作温度: + 150 C 技术: Si

制造商: Vishay

产品种类: MOSFET

RoHS: 符合RoHS 详细信息

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-23-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: P-Channel

Vds-漏源极击穿电压: - 8 V

Id-连续漏极电流: 4.4 A

Rds On-漏源导通电阻: 28 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 8 V

最大工作温度: + 150 C

技术: Si

封装: Reel

通道模式: Enhancement

商标: Vishay Semiconductors

配置: Single

下降时间: 20 ns

最小工作温度: - 55 C

Pd-功率耗散: 960 mW

上升时间: 20 ns

工厂包装数量: 3000

晶体管类型: 1 P-Channel

典型关闭延迟时间: 40 ns

典型接通延迟时间: 20 ns

零件号别名: SI2305CDS-GE3

单位重量: 1.438 g