IS41LV16100B-50TL 数量:7500 批号:13+ 封装:TSOP44 深圳市祥瑞智科技有限公司联系人:朱小姐QQ:616543983电话:0755-83210901
标准包装： 117
类别： 集成电路 (IC)
家庭： 存储器
系列： -
包装： 托盘
格式 - 存储器： RAM
存储器类型： DRAM - EDO
存储容量： 16M (1M x 16)
速度： 50ns
接口： 并联
电压 - 电源： 3 V ~ 3.6 V
工作温度： 0°C ~ 70°C
封装/外壳： 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）
供应商器件封装： 44-TSOP II
IS41LV16100B
1M ×16 （ 16兆位）动态RAM
与EDO页模式
特点
?? TTL兼容的输入和输出;三态I / O
•刷新间隔：
- 自动刷新模式：
1024次/ 16毫秒
—
RAS -只， CAS先于RAS
（CBR） ，及隐藏
?? JEDEC标准引脚
•单电源供电： 3.3V ± 10 ％
•字节通过两个写和字节读取操作
CAS
•工业级温度范围： -40
o
C至+ 85
o
C
•无铅可
ISSI
2005年4月
®
描述
该
ISSI
IS41LV16100B为1,048,576 ×16位高性
曼斯CMOS动态随机存取存储器。这些
器件提供所谓的EDO加速周期访问
页面模式。 EDO页面模式让1024随机AC-
与存取周期时间尽可能短的单列内正如事实
如每16位字为20 ns 。
这些特性使得IS41LV16100B非常适合于
高带宽图形，数字信号处理，高
高性能计算系统和外围
应用程序。
该IS41LV16100B封装在一个42引脚400密耳SOJ
400密耳50-（ 44- ）引脚TSOP （ II型） 。
