型号：IRF8707TRPBF
品牌：IR
类别：分离式半导体产品
家庭：FET - 阵列
系列：HEXFET®
FET 型：2 个 N 沟道（双）
FET 特点：逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：7.6A，11A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：16.2 毫欧 @ 7.6A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.25V @ 25μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：11nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds：910pF @ 15V
功率 - 最大：1.4W，2W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装：8-SO
包装：带卷 (TR)
其它名称：IRF7904TRPBF-NDIRF7904TRPBFTR
标准包装：4,000
封装：SOP8
批号：2014+
数量：15680
单价：面议
备注：深圳市勤思达科技有限公司主营IR全新原装场效应管，公司授权分销，品质保证，现货库存热卖IRF8707
IRF8707TRPBF，正品原装 ，欢迎广大新老客户朋友咨询洽谈。
应用：
•同步降压控制MOSFET用于笔记本电脑的转换器处理器电源
•控制MOSFET的隔离网络中的DC- DC转换器系
特点：
•栅电荷极低
•非常低RDS （ ON）在4.5V VGS
•超低栅极阻抗
•充分界定雪崩电压和电流
•20V VGS马克斯。门评级
•100 ％测试RG
•LEAD -FREE
描述：
该IRF8707PbF采用了最新的HEXFET功率MOSFET硅技术进入业界标准的SO - 8封装。该IRF8707PbF进行了优化那些参数在同步降压关键手术包括RDS（ON）和栅极电荷减少了导通和开关损耗。降低总损耗使这款产品非常适用于高效率的DC -DC转换器提供动力的最新一代的笔记本电脑和网通的应用处理器。
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