IRF4905SPBF
功能描述：
MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 20mOhms 120nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
最大工作温度：
安装风格：
Through Hole
封装 / 箱体：
Max247
封装：
Tube
IRF4905STRLPBF
功能描述：
MOSFET MOSFT PCh -55V -74A 20mOhm 120nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
最大工作温度：
安装风格：
Through Hole
封装 / 箱体：
Max247
封装：
Tube
IRF4905STRR
功能描述：
MOSFET P-CH 55V 74A D2PAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™
FET 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：
18A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：
180 毫欧 @ 9A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：
4V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：
72nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds：
1560pF @ 25V
功率 - 最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件
IRF4905STRRPBF
功能描述：
MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 20mOhms 120nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
最大工作温度：
安装风格：
Through Hole
封装 / 箱体：
Max247
封装：
Tube
