型号：IRF7210TRPBF
品牌：IR
类别：分离式半导体产品
家庭：FET - 单
系列：HEXFET®
FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：12V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：16A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：7 毫欧 @ 16A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：600mV @ 500μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：212nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds：17179pF @ 10V
功率 - 最大：2.5W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装：8-SO
包装：带卷 (TR)
其它名称：IRF7210TRPBF-NDIRF7210TRPBFT
标准包装：4,000
封装：SOP8
数量：16890
单价：面议
备注：深圳市勤思达科技有限公司主营集成电路 (IC)，公司授权分销IR系列，全新原装，现货库存
长期供应IRF7210 IRF7210TRPBF，绝对正品，大量库存，可以出样品，欢迎广大朋友咨询洽谈。
应用：
先进的工艺技术
l超低导通电阻
lP沟道MOSFET
l表面贴装l可在磁带卷&
l动态的dv / dt额定值
l快速开关
IRF7105国际整流器第五代HEXFETs利用先进的加工技术，以实现尽可能低的导通电阻每硅片面积。这样做的好处，结合快速开关速度和坚固耐用的设备的设计，HEXFET功率MOSFET是众所周知的，为设计者提供以在很宽的一个非常有效的装置，用于使用各种应用程序。
采用SO-8已经通过定制进行了修改引线框架用于增强热性能和多模能力使它成为理想的各种电源应用。有了这些改进，多个设备可以在一个应用程序中使用大大减少了电路板空间。该包是专为气相，红外，或波峰焊技术。大于0.8W的功耗可以在一个典型的印刷电路板安装的应用程序。
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