电源电压：3.3V设备VCC＝2.7～3.6V；结构：存储器单元阵列：（64M+2M）×8位，数据存储器：（512+16）×8位；自动编程和擦除：页编程：（512+16）×8位，块擦除：（16K+512）字节；页读操作：页尺寸：（512+16）字节，随机存取：15μs（最大值），串行页访问：50ns（最小值）；快速写周期时间：编程时间：200μs（典型值），块擦除时间：2ms（典型值）；指令/地址/数据复用I/O端口；硬件数据保护：在电源转换过程中编程/擦除锁定；可靠的CMOS准浮栅技术，100k次编程/擦除周期，10年的数据保留时间；指令存储器操作；封装：48引脚的TSOP封装，63引脚的FBGA封装；工作温度：-40～+125℃
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